光耦隔离电路的输出改进电路的制作方法

本实用新型涉及一种光耦隔离电路，尤其涉及一种光耦隔离电路的输出改进电路。

背景技术：

光耦隔离电路广泛的应用于工业控制器信号的输入输出隔离，保证信号的稳定传输。

例如，中国专利文献公开了一种基于电流传变隔离技术的继电器驱动电路[申请号：CN201020662696.1]，包括达林顿光耦，所述达林顿光耦内部使用红外发光二极管作为源边的发光器件，使用光电三极管作为副边接收器件，所述达林顿光耦源边红外发光二极管的阴极与控制器的控制信号输出端连接，红外发光二极管的阳极串联限流电阻后与控制电源相连，所述达林顿光耦副边光电三极管的集电极串联继电器线圈后与继电器驱动电源相连，光电三极管的发射极接地。

上述方案利用了达林顿光耦达到了保证继电器出口逻辑正确的基础上，提高系统的抗干扰能力和可靠性的目的，采用达林顿光耦的输出光耦隔离电路如图1所示，DO为传输信号的输入端，OUT+和OUT-为信号输出端；信号电流由VCC输入，经R1和光耦发光侧，由DO输出，此电路在应用中经常会遇到以下两个问题：1、实际使用中PS2802-1及同类达林顿输出的光耦最大输出电流都小于150mA，输出电流很难满足像电磁阀、接触器、继电器等需要较大电流的控制电路；2、达林顿光耦的成本高，市场价人品币4元左右。

技术实现要素：

本实用新型的目的是针对上述问题，提供一种降低成本，提高最大输出电流的光耦隔离电路的输出改进电路。

为达到上述目的，本实用新型采用了下列技术方案：本实用新型的光耦隔离电路的输出改进电路包括具有发光二极管和光敏器件的光耦器，所述发光二极管的阳极通过第一电阻连接于电源，所述发光二极管的阴极输出由电源输入的信号电流，其特征在于，还包括设置于光耦器输出侧的驱动电路，所述驱动电路包括NPN型的三极管，所述三极管的基极通过第二电阻连接于光敏器件的输出端，所述三极管的集电极与光敏器件的输入端一起连接于电路的输出侧正端，所述三极管的发射极通过第三电阻连接于光敏器件的输出端，且发射极和第三电阻的公共端连接电路的输出侧负端。

通过上述技术方案，在光耦器的输出侧连接一驱动电路能够提高电路的性能，满足输出各种不同电流的需要。

在上述的光耦隔离电路的输出改进电路中，所述光耦器的光敏器件为光敏三极管。

通过上述技术方案，采用普通的光耦器替代达林顿光耦大大降低制造成本。

在上述的光耦隔离电路的输出改进电路中，所述光耦器型号为TLP291。

通过上述技术方案，TLP291光耦器具有高绝缘电压，且能在110度以内的高温环境下工作，不需要额外的散热器，降低电路复杂程度，减小电路占用的体积。

在上述的光耦隔离电路的输出改进电路中，所述三极管型号为SS8085。

通过上述技术方案，SS8085三极管是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管，以小电流控制大电流，实现输出侧大电流的需要。

在上述的光耦隔离电路的输出改进电路中，所述第一电阻为阻值为330Ω的定值电阻，所述第二电阻为阻值为470Ω的定值电阻，所述第三电阻为阻值为4.7KΩ的定值电阻。

与现有的技术相比，本实用新型的优点在于：1、在满足耐压的情况下，可使输出电流大1.5A；2、本电路的市投入成本低；3、通过更换三极管的型号可方便地改变电路的输出电流和耐压性能，以适应更多的场合。

附图说明

图1是现有技术的电路原理图

图2是本实用新型提供的电路原理图。

图中，电源VCC；光耦器O1；发光二极管1；光敏器件2；第一电阻R1；驱动电路3；三极管Q1；第二电阻R2；第三电阻R3；输出侧正端OUT+；输出侧负端OUT-。

具体实施方式

如图2所示，本实用新型的光耦隔离电路的输出改进电路包括具有发光二极管1和光敏器件2的光耦器O1，所述发光二极管1的阳极通过第一电阻R1连接于电源VCC，所述发光二极管1的阴极输出由电源VCC输入的信号电流，其特征在于，还包括设置于光耦器O1输出侧的驱动电路3，所述驱动电路3包括NPN型的三极管Q1，所述三极管Q1的基极通过第二电阻R2连接于光敏器件22的输出端，所述三极管Q1的集电极与光敏器件22的输入端一起连接于电路的输出侧正端OUT+，所述三极管Q1的发射极通过第三电阻R3连接于光敏器件2的输出端，且发射极和第三电阻R3的公共端连接电路的输出侧负端OUT-。光耦器O1为光敏器件2为光敏三极管的普通的光耦器O1，以替代达林顿光耦，大大降低制造成本，且TLP291光耦器具有高绝缘电压，且能在110度以内的高温环境下工作，不需要额外的散热器，降低电路复杂程度，减小电路占用的体积，所以本实施例采用的光耦器O1型号为TLP291；又因为SS8085三极管是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管，以小电流控制大电流，实现输出侧大电流的需要，所以本实施例的驱动电路3中的三极管型号采用SS8085。

更具体地，第一电阻R1作为光耦器O1输入侧的发光二极管1的限流电阻，本实施例中采用的阻值为330Ω的定值电阻已保护二极管不被烧坏，第二电阻R2作为三极管Q1基极的限流电阻，在本实施例中采用的阻值为470Ω的定值电阻以弥补三极管Q1过低的阻抗，使三极管Q1的基极电流工作在允许的范围之内，起到保护三极管Q1的作用，第三电阻R3用于减小干扰,让三极管Q1在基极无导通信号的时候保证不误导通，以确保三极管Q1可靠截止和保证电路工作的稳定可靠性，且本实施例中第三电阻R3所采用阻值为4.7KΩ的定值电阻。

本实用新型的工作原理为：光耦器O1输入侧通电，发光二极管1发光，光敏器件2接收光信号后控制三极管Q1导通以光耦隔离电路的输出侧回路导通，通过更换三极管Q1的型号，使电路的输出电流能够满足电磁阀、接触器、继电器等需要较大电流的控制电路。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

尽管本文较多地使用了电源VCC；光耦器O1；发光二极管1；光敏器件2；第一电阻R1；驱动电路3；三极管Q1；第二电阻R2；第三电阻R3；输出侧正端OUT+；输出侧负端OUT-等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本实用新型的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本实用新型精神相违背的。