20N65场效应管参数|20N65(TO220,TO-3PN)规格书资料|壹芯微

产品类型 场效应管  产品型号 20N65  极性 NPN

漏源电压 650V  漏极电流 20A  封装 TO-220,ITO-220,ITO-220L,TO-3P,TO-3PN

20N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-3PN

20N65(多封装)规格书  查看下载

参数资料:

20N65绝对最大额定参数:

漏源电压(V_DS) 650(V)

栅源电压(V_GS) ±30(V)

雪崩电流(I_AR) *(A)

漏极电流-连续(I_D) 20(A)

漏极电流-脉冲(I_DM) 80(A)

单脉冲雪崩能量(E_AS) 550(mJ)

重复雪崩能量(E_AR) *(mJ)

二极管恢复峰值(dv/dt) *(V/ns)

功耗(TO-220/TO-3P)(P_D) 250(W)

功耗(ITO-220/ITO-220-L)(P_D) 80(W)

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG) -55~+150(°С)

热阻-结到环境

(TO-220/ITO-220/ITO-220-L)(R_θJA) 62.5(°C/W)

(TO-3P)(R_θJA) 41.7(°C/W)

热阻-结到外壳

(TO-220/TO-3P)(R_θJC) 0.5(°C/W)

(ITO-220F/ITO-220-L)(R_θJC) 1.47(°C/W)

焊接的最高引线温度(T_L) *(°С)

20N65各种封装外形尺寸:

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