12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换

12N65系列场效应管TO-220封装引脚图：

壹芯微供应12N65系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）

12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封装形式TO-220

12N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

12N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2

12N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

12N65L-T2Q-T 12N65G-T2Q-T 封装形式TO-262

12N65L-TQ2-T 12N65G-TQ2-T 封装形式TO-263

12N65L-TQ2-R 12N65G-TQ2-R 封装形式TO-263

12N65L-T3P-T 12N65G-T3P-T 封装形式TO-3P

12N65L-T3N-T 12N65G-T3N-T 封装形式TO-3PN

12N65.pdf 规格书查看下载

12N65系列特性参数如下：

* RDS(ON)<0.85Ω @ VGS=10V，ID=6.0A

* 超低栅极电荷（典型值 42 nC）

* 低反向传输电容（CRSS=典型值25pF）

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

12N65系列绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,I_D：12A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,P_D：225W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,P_D：50W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1 ,P_D：51W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：54W

PowerDissipation功耗,TO-3P/TO-3PN,P_D：260W

Junction Temperature结温,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微12N65规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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