【讨论】中美双方就加强知识产权保护进行深入讨论

1.中美第一阶段经贸协定签署，半导体产业创新升级正当时

2.2019年我国发明专利授权榜：OPPO蝉联全国第三 持续领跑细分领域

3.2019 IFI专利授权排行榜：BOE（京东方）跃居全球第13位

4.腾讯CT图像专利正式授权 智慧医疗成腾讯关注重点

5.国家知识产权局：2019年集成电路布图设计发证同比增七成

6.三星电子在美专利申请连续14年排名第二

7.【专利解密】无锡派微新型氮化镓(GaN)材料赋能汽车无线充电系统

1.中美第一阶段经贸协定签署，半导体产业创新升级正当时               

当地时间1月15日上午，在长达22个月的贸易战之后，中美第一阶段经贸协议签署仪式在美国白宫东厅举行。

中美双方就加强知识产权保护进行了深入讨论，在商业秘密保护、与药品相关的知识产权问题、专利有效期延长、地理标志、打击电子商务平台上存在的盗版和假冒、打击盗版和假冒产品的生产和出口、打击商标恶意注册，以及加强知识产权司法执行和程序等方面达成共识 。

对于知识密集型的半导体产业来说，短期可能造成一定程度知识产权成本上升，中长期来看，有利于保护创新，促进产业进入创新发展良性循环。深圳嘉德知识产权服务公司合伙人王敏生告诉集微网，“可以预见，大量软件将正版化，对海关知识产权保护执法会加强……对于行业来说，短期内成本肯定会升高。中长期来看，知识产权成本会有一定上升，同时付费会变成一个惯例，对鼓励创新，引导产业创新升级有很大意义。”

中美知识产权争端由来已久

上个世纪80年代末至90年代中期，是中美知识产权争端剧烈爆发的第一个时期。彼时，美国多次将中国列入“重点观察国家”名单，并一度在“特别301条款”年度调查中，将中国列为“最严重侵犯美国专利权和版权的国家”。最终在1999年3月份签署了《中美知识产权协议》，使摩擦暂时得到平息。

2004年4月，美国又一次将中国列入“重点观察国家”名单之中。2005年美国前商务部长唐纳德·埃文斯在第三次中美知识产权圆桌会议上指责中国保护知识产权不力。2007年，美国代表施瓦布宣布就“中国知识产权保护”和“出版物市场准入”问题，启动WTO争端解决机制。这就是历时近两年的中美知识产权争端WTO第一案。最终此案以世界贸易组织争端解决机构专家组提交报告驳回美方绝大部分主张而告终。

2018年3月，美总统特朗普签署备忘录，基于美贸易代表办公室公布的对华301调查报告，指令有关部门对华采取限制措施，正式打响中美贸易战的第一枪。美方指责中国知识产权保护不利。中美知识产权争端烽烟再起。

中国知识产权保护日益完善

事实上，与美方出于经济利益的指责截然相反，中国的知识产权保护在短短40余年里，从无到有，已经建立了一套相对完善的知识产权保护体系。1982年的商标法、1984年的专利法、1990年的著作权法、1993年的反不正当竞争法，此后又颁布了植物新品种保护条例、集成电路布图设计保护条例。2001年，中国入世之前又按照国际公约的规定对法律进行了修改和完善。

由于中国在知识产权领域的保护日益完善，曾经担忧在中国遭遇侵权的海外企业逐渐放下包袱，不仅积极进入中国市场，还在中国打起了知识产权官司。高通在中国起诉苹果就是这种情况的具象化。

世界银行2018年发布的《营商环境报告》显示，中国营商环境在全球排名已从2017年的78位跃升至第46位。世界知识产权组织发布的《2018年全球创新指数报告》显示，中国名列第17位，较上年上升5位。

这一切都在说明，中国知识产权保护状况越来越完善。

加强知识产权保护，释放利好信号

此次第一阶段经贸协议，中美双方在加强一般专利和商标保护，加强保护企业商业秘密、打击侵权假冒等方面都达成共识。中国社科院世界经济与政治研究所研究员高凌云认为，这符合中方关于加强知识产权保护的改革方向，有利于保护创新，有利于国外知识产权更多地进入中国，建设创新型国家、创新型企业。

对于半导体产业来说，同样利大于弊。王敏生表示，“大量软件正版化，对海关知识产权保护执法加强、某些专利保护期延长……这些内容对于行业来说，短期内会造成成本上升。中长期来看，知识产权成本会有一定上升，同时付费会变成一个惯例，对鼓励创新，引导产业创新升级有很大意义。”

机构方面对此次协定也普遍看好。光大证券认为，从中长期来看，经贸协议在加大金融开放和保护知识产权方面将促进我国金融体系和资本市场的健康发展，刺激科技创新，支撑中国潜在经济增长。

西南证券认为，协议对A股乃至全球市场来说是重大的利好信号，市场风险偏好有望提升。安全可控、医疗信息化、金融科技、云计算等领域建议重点关注。

截至发稿时，A股航天航空、专用设备、汽车行业、安防设备等领域均出现不同程度涨幅。光刻胶、国产芯片等概念股领涨概念股板块。

2.2019年我国发明专利授权榜：OPPO蝉联全国第三 持续领跑细分领域

日前，国家知识产权局公布了2019年国内发明专利授权量（不含港澳台）数据，华为、中石化、OPPO分列前三。这也是OPPO第二年在全国企业中位列第三，显示出强劲的研发实力与突出的创新水平。同时，OPPO也在细分领域持续保持领先。H04(电通信技术)大类中，OPPO以1,391件发明专利授权量位居第二位；在G06（计算；推算；计数）大类中，OPPO则以1,025件发明专利授权量位居第三位。

作为全球领先的科技企业，OPPO一向重视技术积累和研发创新，持续通过自研技术专利保护和高价值技术专利收购，稳步拓展全球专利布局。截至2019年12月31日，OPPO全球专利申请量超过40,000件，全球授权数量超过15,000件，其中发明专利申请数量超过34,000件，发明专利申请在所有专利申请中占比88%。

作为5G先行者和普及者，OPPO在全球20多个国家和地区布局5G通信标准专利，目前已完成超过2500族全球专利申请，并在ETSI宣称超过1000族5G标准专利，排名前列。

面向5G万物互融时代，OPPO将一如既往地重视技术研发，持续投入，布局多智能终端生态。未来三年，OPPO计划投入500亿研发预算，关注5G/6G、人工智能、AR、大数据等前沿技术，并构建核心底层硬件技术以及软件工程和系统能力。同时，OPPO也将继续以开放、共赢的态度，携手产业链合作伙伴，共同探索万物互融新未来。

3.2019 IFI专利授权排行榜：BOE（京东方）跃居全球第13位

1月14日，美国专利服务机构IFI Claims发布了2019年度美国专利授权量统计报告，共有3家中国企业进入排行榜前50名，其中包括2家中国大陆企业，1家中国台湾企业。

在IFI TOP 50榜单中，京东方由2018年第17位跃升至2019年第13位，专利授权量达2177件，同比增长33%，连续4年在该榜单中实现排名与美国专利授权量双增长。

美国商业专利数据库IFI Claims成立于1955年，是全球最受信任的权威专利分析公司之一，其每年发布的美国专利授权排名反映了国家及企业的整体创新实力，受到全球范围的高度关注。

自四年前首次进入IFI TOP 50榜单，京东方排名稳步快速提升：

2016年，京东方位列第40位，专利授权量年增长率超200%，在TOP50中位列第一。

2017年跃升至第21位，其专利授权量以62%同比增长继续保持TOP50增速第一。

2018年排名全球第17位，成为IFI Claims TOP 20中增速最快的企业。

BOE柔性显示生产线

BOE10.5代液晶显示生产线

在短短十余年时间里，京东方成为全球半导体显示领域龙头企业，以及全球创新型物联网公司，源于始终保持对技术的尊重和创新的坚持。

2019年，京东方新增专利申请量9657件，其中发明专利超90%，海外新增专利申请超过38%，覆盖美国、欧洲、日本、韩国等国家和地区。

近年来，京东方推出了全球领先的8K、柔性OLED、X-Ray传感、BD Cell、BOE画屏、12导联动态心电记录仪、数字人体、细胞膜片等创新技术和产品，并赋能应用场景，在智慧车联、智慧零售、智慧金融、智慧文博、数字艺术、智慧健康等领域推出创新解决方案，让人们感受到科技创新为生活带来的便利。

目前，京东方已连续多年在世界知识产权组织（WIPO）专利排名中位列全球前十，在2019年中国企业人工智能专利排行中名列第六，半导体技术发明专利位列全球前三甲。

此外，京东方还被评为福布斯全球数字经济100强，《麻省理工科技评论》年度全球“50家聪明公司”。

京东方副总裁、技术与知识产权管理中心负责人李新国表示：“如今，中国企业正在改写全球的创新版图，成为全球科技创新的主体。知识产权对创新的保护和推动作用将越来越关键，京东方将始终坚持技术创新，加强专利攻防体系建设，确保技术和产品的前瞻性和全球领先性，为全球用户带来最优质的创新产品和服务。”

4.腾讯CT图像专利正式授权 智慧医疗成腾讯关注重点

凤凰网科技讯  1月16日消息，据天眼查数据显示，1月10日，腾讯科技（深圳）有限公司于2019年1月月30日申请的“CT图像的生成方法、装置、设备及存储介质”专利已正式授权。

腾讯科技（深圳）有限公司成立于2000年，注册资本为200万美元，法定代表人为马化腾，经营范围包括从事计算机软硬件的技术开发、销售自行开发的软件；计算机技术服务及信息服务；电子产品设计服务等。天眼查股权结构显示，该公司为中霸集团有限公司全资子公司。

5.国家知识产权局：2019年集成电路布图设计发证同比增七成

1月14日，国家知识产权局披露了2019年主要工作统计数据。

图片来源：国家知识产权局

国家知识产权局新闻发言人、办公室主任胡文辉表示，在集成电路布图设计方面：2019年，共收到集成电路布图设计登记申请8319件，同比增长87.7%，集成电路布图设计发证6614件，同比增长73.4%。办理集成电路布图设计侵权案件2件。

近年来企业高度重视集成电路布图设计的工作，同时集成电路布图设计审批流程不断优化，审查效率不断提高，保证了集成电路布图设计申请注册能及时完成，也为创新主体提供了更好的服务。

2019年4月，国家知识产权局印发《集成电路布图设计审查与执法指南（试行）》，以加强集成电路布图设计专有权保护，提高集成电路布图设计审查。同时对集成电路布图设计的登记、审查、商业利用作了规范。

2019年7月1日，由北京产权交易所牵头，天津产权交易中心、河北产权市场共同制定的《技术类无形资产交易规则（试行）》正式实施发布，根据交易规则，技术类无形资产包括专利权、集成电路布图设计专有权、软件著作权等方面，今后各类市场主体通过三地产权交易机构开展无形资产交易，将使用统一的规则流程，提升京津冀区域内该类资产交易的规范化水平和交易效率，对促进三地科技资源自由流动、优化配置和产业协同具有重要意义。（校对/诺离）

6.三星电子在美专利申请连续14年排名第二

【环球网科技综合报道】据外媒消息，日前，据美国商业专利数据库(IFI Claims)发布的最新专利报告显示，美国去年全年共受理33.353万件专利申请。外媒认为，这些数字表明企业仍在以申请专利的方式来保护其公司财产和研发。

报告显示，去年三星电子在美专利申请数量为6471件，连续14年排名第二。IBM以9262件连续27年排名第一，三星电子以6471件排名第二，佳能(3548件)、微软(3081件)、英特尔(3020件)分列其后。苹果、LG电子、福特、亚马逊、华为跻身前十。韩国企业当中，LG电子以2805件排名第6，现代汽车(1505件)和起亚汽车(921件)分别排在第20和第41。

7.【专利解密】无锡派微新型氮化镓(GaN)材料赋能汽车无线充电系统

【嘉德点评】无锡派微科技有限公司让我们看到了新型GaN材料新器件的优良特性，在新能源汽车、电力电子与无线充电领域具有非常广阔的应用前景。

由于第三代半导体功率器件氮化镓(GaN)承受高压、高频率、高温的能力更强，因此与传统硅器件相比，具有更加优越的通态特性和更好的开关特性，吸引了工业界与学术界的广泛关注。尤其是在汽车电动化和便携式电子产品领域，其快速而高效的充电需求驱动着GaN功率器件走向大众市场，逐渐替代传统的硅功率器件。

当前新能源汽车充电机系统的设计中需要更高的充电效率和更大的充电功率，特别是近年来出现的新型无线充电机系统，对充电模块的开关频率和效率提出了及极其严格的要求。而随着MOSFET和IGBT的出现和应用普及，传统硅器件在功率密度上逐渐接近物理极限，而新出现的GaN器件由于其更好的材料特性可以大幅度提高开关频率，进而促进功率电源功率密度的提高与小型化，因此采用GaN器件开发新型PFC电源模块是一种很好的技术途径。然而利用这种方法提高功率密度的同时，由于开关频率提高，会造成电源系统产生过高的尖峰电压与寄生电感，同时对系统的散热也提出了更高的要求。在GaN器件带来的机遇与挑战中，无锡派微科技有限公司率先展开研究，并针对这些问题提出了电源系统的解决方案。

早在2019年8月12日，无锡派微科技有限公司便提出了一项名为“用于无线充电系统的GaN交错并联PFC电源模块”的发明专利（专利号：201910739448.8），申请人为无锡派微科技有限公司。

此专利针对采用GaN功率器件进行功率集成时面临的应用挑战，在电源系统中的栅驱动电路、器件布局和散热等方面进行了优化设计，提出了一种采用GaN功率器件应用于新能源汽车无线充电系统的高功率密度交错并联PFC电源模块。

图1 此专利提出的PFC电源电路结构图

此专利提出的用于无线充电系统的PFC电源模块如图1所示，包括EML滤波电路U3、全桥整流电路U2、电感L1、L2，PFC控制器U1、第一栅驱动电路H、第二栅驱动电路L、GaN功率开关MH、GaN功率开关ML、限流电阻RH、限流电阻RL、输出二极管D1、输出二极管D2、输出电容C1、检测电路U4和反馈电路U5。PFC控制器输出的两级脉宽控制信号分别通过驱动电路与限流电阻连接到两级GaN功率开关，开关的漏极连接到输出的高压与低压母线上。检测电路输出的电压检测信号f1、电流检测信号f2和温度检测信号f3分别连接到反馈电路U5的三个输入端；反馈电路将反馈输出给到PFC控制器，进而通过驱动电路控制GaN功率开关的通断，形成反馈闭环，从而使得电源正常工作。

同时由于现有的GaN器件的输出电流不够，为实现大电流输出，GaN功率开关需采用多个小开关管并联的方式，在保证最佳开关频率的前提下保证最大输出电流。其次，并联系统中还考虑了均流问题，若并联系统两支路电流不均衡，那么某一支路开关管所承受的电流应力势必加大，会增大开关管损坏机率。本发明针对平均电流控制交错并联CCM Boost PFC变换器中存在的两支路不均流造成开关管电流应力加大的问题，采用了高可靠双面布局方式，并采用占空比补偿电流控制

策略。 

图2 工作波形示意图

图2为该变换器的工作示意波形图， PFC变换器为两个相同Boost PFC变换器并联而成，单个开关管的驱动信号PWH和PWL相位相差180°，电感L1与电感L2支路的电流波形相同，相位相差180°，因此两支路的电流交错并联后将会消除掉一部分电流纹波，从而总电流的纹波得到减小，频率变为之前的2倍。

图3 双面布局示意图

如图3所示，本发明的双面布局结构包括：输入高压区1、输入高压直流母线DC区2、输出电压区3和低压供电区4。所述输入高压区1、输入高压直流母线DC区2、输出电压区3分布在电源模块的正面，所述低压供电区4分布在电源模块的反面，正面和反面之间的第二脉宽信号PWL、第一脉宽信号PWH、电压反馈信号f1、电流反馈信号f2和温度反馈信号f3通过通孔连接信号。这种布局结构的设计，可以对栅极驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化，从而实现高密度功率集成和高效率。

新型材料的出现有利的带动了工业界的创新与发展，在该专利中，无锡派微科技有限公司让我们看到了新型GaN材料新器件的优良特性，在新能源汽车、电力电子与无线充电领域具有非常广阔的应用前景。（校对/holly）