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系统概述：
自上个世纪80 年代初期开始，TYTAN 炉系统开始服务于半导体产业。现在它不仅为半导体产业创造价值，同样正在为MEMS产业创造价值。TYTAN 炉系统能够提供多种工艺，如扩散，氧化，退火和低压化学气相沉积（LPCVD) 工艺。
迷你型TYTAN炉：
迷你型TYTAN 炉系统是专为氧化, 扩散和低压化学气相沉积应用而设计的。与其它相同产能的常规炉系统相比，它具有结构紧凑，占地空间小和省电等优势。它的关键设计和性能特性包括:- 创新性热能设计
- 占地空间小
- 优良的工艺均匀性
- 设备开机率优于 95%
- 庞大的客户网络
- 专家服务
- 节省(50%)电能和气体消耗
- 便于保养和服务
常压工艺：氧化工艺（湿法，干法）
固态源扩散（BN,P2O5）
液态源扩散（POCl3,BBr3）
退火
纳米材料
烧结+合金
低压化学气相沉积和工艺：
掺杂多晶硅和非晶硅 LPCVD
多晶硅 LPCVD（使用硅烷或乙硅烷）
低温氧化硅，掺杂性低温氧化硅，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃和磷硅玻璃LPCVD
高温氧化硅LPCVD
TEOS氧化硅LPCVD
氮化硅LPCVD（低应力型，标准型）
硅锗（Si-Ge）LPCVD
掺氧半绝缘多晶硅，碳化硅
外延硅
纳米材料LPCVD
关键设计和性能特点：
创新性热能设计
占地空间小
优良的工艺均匀性
设备开机率优于95%
庞大的客户网络
专家服务
节省（50%）电能和气体消耗
便于保养和服务
迷你TYTAN炉系统对照表：炉系统型号 1600 1800 3600 3800 4600 衬底尺寸 6’’ 8’’ 6’’ 8’’ 6’’ 炉管数量 1 TUBE 1 TUBE ≤3 TUBES ≤3 TUBES ≤4 TUBES 单管产能 100 ATM
50 LPCVD100 ATM
50 LPCVD100 ATM
50 LPCVD100 ATM
50 LPCVD100 ATM
50 LPCVD恒温区长度 18’’/457 mm 18’’/457 mm 18’’/457 mm 18’’/457 mm 18’’/457 mm 设备尺寸
(长度, 高度, 宽度)L 63’’/1600 mm L 63’’/1600 mm L 126’’/3200 mm L 134’’/3404 mm L 127’’/3226 mm H 54’’/1372mm H 54’’/1372mm H 69’’/1753mm H 82’’/2083mm H 82’’/2083mm D 30’’/762 mm D 30’’/762 mm D 30’’/762 mm D 30’’/762 mm D 30’’/762 mm *大消耗电功率 18 KVA 28 KVA 40 KVA 45 KVA 50 KVA -
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