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11N60/TO-220参数封装： 点击查看
11N60封装有TO-220/TO-220F/TO-252
11N60场效应管参数如下:
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：600V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：11A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：A
Power Dissipation 功率损耗Pd：140W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=6A,VGS=10V：Typ 510mΩ Max 620mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
11N60场效应管/TO-220封装尺寸：
11N60场效应管/TO-220F封装尺寸：
11N60场效应管/TO-252封装尺寸：
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