4N15场效应管,4N15参数资料,4N15引脚图,4N15中文资料规格书PDF
4N15/SOT-23封装参数： 点击查看
4N15场效应管参数具体如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：150V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：4A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：1.5A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1.5A,VGS=10V：Typ 220mΩ Max 280mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1.5A,VGS=4.5V：Typ 230mΩ Max 300mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
4N15场效应管/SOT-23封装尺寸：
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027
QQ：709211280