海力士扩张无锡工厂DRAM生产线 晶片产能提高至18万

【CNMO新闻】SK海力士4月18日在无锡举行DRAM流水线C2F的竣工仪式，仪式上宣布在原有DRAM半导体流水线C2的基础上进行扩建，扩建后，建筑面积将达到5.8万平方米。竣工仪式上，无锡市委书记李小敏、江苏省副省长郭元强、韩国驻上海总领事崔泳杉、SK海力士公司总裁李锡熙和合作商总裁等500人出席了活动。

图片来自海力士

2004年SK海力士与无锡市签署建厂协议，并于2006年开始生产DRAM，当时建成的C2流水线是SK海力士第一个300毫米晶片工厂(FAB是半导体工厂的通称)，为SK海力士的后续发展起到了重大作用。从2017年6月开始，SK海力士投资扩建半导体生产厂房(无尘车间)。

图片来自海力士

SK海力士无锡工厂负责人姜英秀表示：“C2F的竣工使无锡工厂拥有了中长期竞争力，C2F将与现在的C2工厂一同运转，最大限度扩大无锡工厂的生产和运转效率”。业内人士表示：“这次扩建后无锡工厂的DRAM产能从原来的12万张晶片提高到了18万张，产能占SK海力士DRAM总产能的比例提高到40至50%。”