2019上半年部分原厂纷纷宣布减产，下半年NAND Flash价格明显止跌，然近期原厂三星、铠侠电子、西部数据、美光、SK海力士等再次掀起产能竞赛，近3年内将有7座新工厂投入运营，NAND Flash产业发展是否会再添变数？

01 铠侠电子岩手县新工厂，将在2020上半年投产

日媒报道称，铠侠电子（KIOXIA，前东芝存储器）于10日在岩手县北上市的新工厂举行了安全祈祷会，新建的K1工厂计划于2020年上半年开始生产。这是继日本四日市工厂基地之后，铠侠电子在日本的第二个生产基地。

据悉，铠侠电子位于岩手县北上市的新工厂于2018年7月举行奠基仪式，初期建设投资70亿日元，占地面积约为150,000平方米，大楼是具有地震隔离结构的五层钢框架，同时也正在考虑扩建。按照原计划工厂建设将于2019年底完成。铠侠电子的合作伙伴西部数据也参与了该工厂的投资。

铠侠电子北上市新工厂将通过人工智能（AI）系统来提高产生3D NAND的生产率，所生产的3D NAND将被用于数据中心、自动驾驶汽车、智能型手机市场所需。

02 铠侠电子四日市Fab7工厂，将在2020年开建

据日刊工业新闻曾报导，铠侠电子决定投资3000亿日圆，将于2020年底在四日市工厂内兴建Fab 7工厂，将用于投入生产最新的3D NAND，该新工厂也是由铠侠电子和西部数据合资建设，根据以往的建厂进度，该工厂将可能在2022年投入生产。

日本四日市是铠侠电子生产NAND Flash的重要基地，目前已投入NAND Flash生产的工厂包括Fab2、Fab3、Fab4、Fab5、Fab6（一期、二期），再加上在2020年将新建的Fab7工厂，铠侠电子未来在四日市已知的将拥有7座生产工厂，而铠侠电子将在岩手县新建的K1工厂将是第8座工厂。

03 三星西安二期、平泽二期新工厂将在2020年投产

日前，有消息称三星西安二期、平泽二期新工厂计划在2020上半年开始投产，其中三星在中国西安分两期工厂，一期工厂于2013年建设，2014年第一代V-NAND量产，用于生产先进的3D NAND。2018年三星总投资70亿美元新建二期项目，根据建厂进度，该工厂预计在2019年底建设完工。

三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行，以检查量产前的情况，预计将在2020年2月开始批量生产。三星位于平泽工厂的二期工厂也基本完成建设，正在进行少量的设备投资，预计将在2020年第一季度进行设备安装后投产，根据其3D技术发展，将可能量产其最新的128层3D NAND。

04 美光新加坡Fab 10A新工厂已投入运营

2019年8月，美光新加坡Fab 10A新工厂完成，并从2019下半年开始生产。新Fab 10A工厂是从2018年开始新建，主要用于生产3D NAND。美光在新加坡还有Fab 10N、Fab 10X两座3D NAND工厂。

美光曾表示，新加坡厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，预计不会增加额外的晶圆产能产出。所以，美光Fab10A新厂初期主要是以扩建无尘室空间为主，增强工厂生产的弹性空间，助于3D NAND技术过渡，暂时不会对NAND Flash市场供应产生很大的影响。

05 SK海力士M15已投产，新建的M16工厂将2020年Q4运营

SK海力士于2017年兴建的清州M15厂已在2019年投入生产，用于加速量产其96层3D NAND，提高SK海力士NAND Flash市场主控权。SK海力士除了已投产的M15工厂，于2018年底动工新建的M16工厂，计划在2020年10月完工，年底准备投产。

M16是SK海力士在利川新建M14工厂之后的又一新工厂，可能将用于生产DRAM，或者跟M14一样是生产NAND Flash和DRAM的混合工厂，SK海力士也表示M16工厂规划将视未来需求而定。

原厂产能扩产赛再起，3D技术过渡和大数据需求是主因

虽然NAND Flash市场仍然被供应过剩的低迷氛围所笼罩，部分原厂也保持减产的状态，但原厂新工厂投产的步伐未停歇，其主要原因在于3D NAND技术发展迅速，市场竞争激烈，尤其是3D技术向100层以上升级，需要更充足的清洁室完成技术的过渡与量产。

其次，随着大数据、人工智能、智能汽车等应用加快，尤其是在5G网络大规模布局的推动下，5G手机以及大数据存储规模将大幅度的增加，满足市场不断增长的存储需求，也是原厂建厂扩产的主要目的。