功率半导体的正负温度系数
功率半导体的正负温度系数
- 正负温度系数
- 功率半导体
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- Si IGBT
- Si Mos
- SiC Mos
- Si Rectify
- Si schottky
- SiC schottky
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- 总结
考虑到整机的成本因素,许多功率变换器使用了半导体并联方案。并联的均流问题一直是一个技术热点,目前新型半导体器件也越来越多,除了软件的控制外,硬件上什么类型的半导体适合并联?哪些不适合并联也值得讨论下。
中间过程只是个记录,可以直接看结论。
正负温度系数
功率半导体的管压降随着温度的不同会呈现不同的特性。管压降的变化与温度变化成正比,为正温度系数。也即温度升高 - >管压降增大;温度降低 -> 管压降减小。反之为负温度系数。
正温度系统的半导体,两个或
2301_79014000: 矢量曲线和三角波如何对比
嘉爷love: 为什么呢,一个ts就是一个pwm周期,看它的持续时间呗。。 我想问下,这个在周期内的时间除以ts就是占空比,对吧。在mcu那边配置就可以了吧
no1xizhong: 膜拜大佬,为什么电流频率是开关频率的两倍?
朴人: 注意,文中的切换时间不是指占空比,是触发有效电平的时刻
进撃の小温: 得看怎么定义动作吧,如果开关一次算动作一次,那确实是只动作了一次(0-1-0/1-0-1)。如果理解从0到1或者从1到0算动作一次,理解成一个周期动作两次应该也没啥毛病。